O que é latência de memória?
CAS = \”Column Access Strobe\”, que pode ser interpretado como sinal de acesso à coluna.
Durante o acesso aos dados na memória, uma vez que o banco de memória é carregado e a página de memória é selecionada, o CAS seleciona a coluna na qual se dará o início da leitura dos dados dentro daquela página.
Só que essa seleção, entre emitir o comando e posicionar o CAS, tem uma demora, ou latência de alguns ciclos, é por isso que normalmente chamamos o parâmetro de CL, ou CAS Latency.
Considerando que entre 30 a 60% dos acessos a memória se dão na mesma página, não é difícil imaginar porque a CL é o parâmetro de latência mais importante quando da escolha da memória. As memórias SDR estão disponíveis com CL de 2 ou 3 ciclos e as DDR de 2 ou 2,5 ciclos.
Pela lógica, concluimos que quanto menor a CL mais rápido os dados estarão disponíveis para serem lidos, então devemos sempre dar preferência para memórias com CAS Latency de 2 ciclos, ou simplesmente CL2.
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